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J-GLOBAL ID：200903084759053073

有機トランジスタの製造方法、及び有機トランジスタ

Inventor： 染谷 隆夫 ,  荒川 泰彦 ,  北村 雅季
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003298697
Publication number (International publication number)：2005072188
Application date： Aug. 22, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】低コストで実用に供することのできる有機トランジスタを提供する。【解決手段】高分子基板11上にゲート電極12をパターニングして形成する。次いで、高分子基板11上に、ゲート電極12を覆うとともに、ゲート電極12の少なくとも一部が露出するようにパターニングされたゲート絶縁膜13を形成する。次いで、ゲート絶縁膜13上において、少なくとも一部がゲート電極12と電気的に接触するようにして、ペースト状の金属粒子からドレイン電極14を形成し、同時に前記ペースト状の金属粒子からソース電極15を形成する。次いで、ドレイン電極14及びソース電極15の少なくとも一部を覆うようにして有機半導体層16を形成し、素子分離する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

高分子基板を準備する工程と、 前記高分子基板上にゲート電極をパターニングして形成する工程と、 前記高分子基板上に、前記ゲート電極を覆うとともに、前記ゲート電極の少なくとも一部が露出するようにパターニングされたゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上において、少なくとも一部が前記ゲート電極と電気的に接触するようにして、ペースト状の金属粒子からドレイン電極を形成する工程と、 前記ドレイン電極の形成と同時に、前記ペースト状の金属粒子からソース電極を形成する工程と、 前記ドレイン電極及び前記ソース電極の少なくとも一部を覆うようにして有機半導体層を形成し、素子分離する工程と、 を具えることを特徴とする、有機トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/288 E ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M

F-Term (32)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD61 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 液晶駆動用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-150194   Applicant：大日本印刷株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-012932   Applicant：株式会社東芝, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション