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J-GLOBAL ID:200903084778049168
表面処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000276612
Publication number (International publication number):2002083798
Application date: Sep. 07, 2000
Publication date: Mar. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】本発明の目的は半導体などの表面処理において、配線の高速化のため配線間絶縁膜として使用されるLow-K膜の一種であるSiOCなどの炭素を含んだシリコン酸化膜とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比をSiOCの抜け性を維持した状態で、高くした表面処理方法を提供することである。【解決手段】プラズマを用いる表面処理方法で、エッチングガスとして希ガスとフルオロカーボン系ガスの混合ガスに添加ガスとしてCOを添加し、SiOCにエッチストップを発生さすこと無く、対マスク高選択比エッチングを可能とする。【効果】通常のシリコン酸化膜のエッチングガスに添加ガスとしてCOを添加した。この効果により、できるだけ高い選択比を保ちつつ抜け性を維持したままSiOC膜のエッチングが実現できる。
Claim (excerpt):
炭素を含むシリコン酸化膜(以下、有機シリコン酸化膜と呼ぶ)をプラズマエッチングする方法において、フルオロカーボン系ガスに炭素と酸素を構成元素として含むガスを添加することを特徴とする表面処理方法。
F-Term (11):
5F004AA05
, 5F004BA14
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004CA09
, 5F004CB02
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004EB03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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有機層間絶縁膜のエッチング処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-325447
Applicant:キヤノン株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-075077
Applicant:株式会社東芝
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