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J-GLOBAL ID：200903058438370653

有機層間絶縁膜のエッチング処理方法

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998325447
Publication number (International publication number)：2000150463
Application date： Nov. 16, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 有機層間絶縁膜に対して垂直に近い角度で配線溝またはビアホールなどを形成することのできる絶縁膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 有機層間絶縁膜上に無機膜を形成する工程と、この無機膜上にフォトレジストのパターンを形成する工程と、このフォトレジストのパターンをマスクとして前記無機膜をエッチングする工程と、エッチングされた無機膜をマスクとして前記有機層間絶縁膜をエッチングする工程と、このマスク用無機膜を除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜のエッチング方法。
Claim (excerpt)：
有機層間絶縁膜上に無機膜を形成する工程と、該無機膜上にフォトレジストのパターンを形成する工程と、該フォトレジストのパターンをマスクとして該無機膜をエッチングする工程と、エッチングされた該無機膜をマスクとして該有機層間絶縁膜をエッチングする工程と、該無機膜を除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜のエッチング方法。
F-Term (39)：
5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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