半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003184860
Publication number (International publication number)：2004088090
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】有機半導体分子を材料として形成される導電路が新規な構造を有し、高い移動度を示す半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】4,4’-ビフェニルジチオール等の有機半導体分子9の両端にある官能基によって、Au等の導体又は半導体からなる微粒子8と有機半導体分子9とを交互に結合させ、微粒子8内の導電路と有機半導体分子9内の導電路とが二次元または三次元的に連結されたネットワーク型の導電路を形成する。この導電路には、分子間の電子移動が含まれず、移動度が分子間の電子移動によって制限されることがないので、有機半導体分子内の主鎖に沿った(分子の軸方向の)導電路の移動度、例えば非局在化したπ電子による高い分子内移動度を最大限に利用することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導体又は半導体からなる微粒子と、この微粒子と結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、この導電路の導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 617T , H01L29/28

F-Term (36)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

有機薄膜トランジスタ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-115425 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機半導体中の荷電粒子の移動度を改善するための添加剤としてのシリコン粒子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-502377 Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

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