有機薄膜トランジスタ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003115425
Publication number (International publication number)：2004006827
Application date： Apr. 21, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】簡易的な作製法により、駆動バイアスが低減され、高いON電流が得られる有機TFT素子を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある導電性領域を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある、導電性領域を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/28

F-Term (35)：

5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG51 , 5F110GG60 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-255669
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-184860 Applicant：ソニー株式会社
有機半導体中の荷電粒子の移動度を改善するための添加剤としてのシリコン粒子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-502377 Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

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