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J-GLOBAL ID：200903084787006951

半導体磁気センサ

Inventor： 服部 孝道 ,  是近 哲広 ,  川崎 哲生 ,  谷川 秀之 ,  松浦 昭 ,  大内 智
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995198527
Publication number (International publication number)：1997045975
Application date： Aug. 03, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、半導体磁気抵抗素子を利用した半導体磁気センサに関し、半導体抵抗膜、電極膜を保護することを目的とするものである。【構成】 本発明の半導体磁気センサは、基板1の表面に形成した半導体磁気抵抗膜2及び短絡電極3および半導体磁気抵抗膜の電気信号取り出し用の電極部4を、電極部4上のみを残して基板1上に形成した保護膜6により被覆したものである。

Claim (excerpt)：

基板の表面に形成した半導体磁気抵抗膜と、前記半導体磁気抵抗膜上に形成した短絡電極および電気信号取り出し用の電極部と、前記電極部のみを残して前記基板上に前記半導体磁気抵抗膜および短絡電極を覆うように形成した保護膜を備えた半導体磁気センサ。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/02 N ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開昭49-034783
  
• 半導体薄膜磁気抵抗素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-252450   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特公昭60-040198
  
• 低熱膨張ポリイミドを用いた電気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-013002   Applicant：株式会社日立製作所
• 強磁性磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236228   Applicant：株式会社村田製作所
• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-247999   Applicant：アイシン精機株式会社
• 特開平2-156582
  
• 特開昭49-034783
  
• 特公昭60-040198
  
• 特開平2-156582