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J-GLOBAL ID:200903084787491752
半導体デバイス検査システム
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993177957
Publication number (International publication number):1995035697
Application date: Jul. 19, 1993
Publication date: Feb. 07, 1995
Summary:
【要約】【目的】測定精度の向上と操作性の向上を図った半導体デバイス検査システムを提供する。【構成】 半導体デバイスを裏面側から観察することとし、まず、赤外照明下で撮像して得られる画像データを左右反転した像に相当する第1の左右反転画像データに変換して記憶しておき、次に、無照明下で、半導体デバイスにバイアスを印加したときに異常箇所から発生する極微弱光を撮像すると共に、その極微弱光の像の画像データを左右反転した像に相当する第2の左右反転画像データに変換し、第1,第2の左右反転画像データを重畳加算することによって、半導体デバイス内の表面から見たときのチップパターン上に異常箇所をスーパーインポーズして表示する。
Claim (excerpt):
半導体デバイスの裏面側を赤外域の光で照明する赤外落射照明手段と、半導体デバイスの裏面側を撮像する撮像手段と、前記撮像手段が前記赤外落射照明手段による照明下で前記半導体デバイスの裏面側を撮像することによって出力する画像データの画素単位の配列を左右反転させて第1の左右反転画像データを作成すると共に、無照明下で前記撮像手段が半導体デバイスの異常箇所から生じる極微弱光の像を撮像することによって出力する画像データの画素単位の配列を左右反転させて第2の左右反転画像データを作成する画像反転手段と、前記画像反転手段で作成された前記第1の左右反転画像データと第2の左右反転画像データとを画素配列を一致させて重畳加算して出力する加算手段と、前記加算手段から出力される重畳加算データに基づいて表示手段に再生画像を表示させる重畳表示制御手段と、を具備することを特徴とする半導体デバイス検査システム。
IPC (3):
G01N 21/88
, G01N 21/63
, H01L 21/66
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-001560
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特開平3-180046
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半導体素子不良箇所検出方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-104181
Applicant:シヤープ株式会社
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