Pat
J-GLOBAL ID：200903084804659700
位相シフトマスク並びに半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994047820
Publication number (International publication number)：1995234499
Application date： Feb. 22, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】ウエハ上のレジスト材料に形成されるパターンを設計値に等しくし得る位相シフトマスクを提供する。【構成】位相シフトマスクは、第1の光透過領域20、第1の光透過領域20を通過した光の位相とは異なる位相の光を通過させる第2の光透過領域22、及び第1の光透過領域と第2の光透過領域との間に設けられた遮光領域12から成り、第1又は第2の光透過領域20,22の幅をWt、第1又は第2の光透過領域を透過した光によって投影光学系を介して基体上のレジスト材料に形成されるパターンの幅をWp、投影光学系の縮小倍率をNとした場合、Wt及びWpは Wt<Wp×N を満足することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1の光透過領域、第1の光透過領域を通過した光の位相とは異なる位相の光を通過させる第2の光透過領域、及び第1の光透過領域と第2の光透過領域との間に設けられた遮光領域から成る位相シフトマスクであって、第1又は第2の光透過領域の幅をWt、第1又は第2の光透過領域を透過した光によって投影光学系を介して基体上のレジスト材料に形成されるパターンの幅をWp、投影光学系の縮小倍率をNとした場合、Wt及びWpは、Wt<Wp×Nを満足することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
