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J-GLOBAL ID：200903084837813110

角速度センサ

Inventor： 持田 洋一 ,  田中 克彦 ,  森屋 和文 ,  長谷川 友保 ,  厚地 健一 ,  杉本 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 広瀬 和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995152334
Publication number (International publication number)：1996050022
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 角速度センサ内にFETを内蔵し、コリオリ力による振動板の変位をチャンネルを流れるドレイン電流として検出し、角速度の高精度検出を行う。【構成】 基板12をP形のシリコンによって形成し、可動部13は支持部と支持梁を介して支持された振動板16からなり、振動板16は矢示A1 ,A2 方向に横振動可能になる。振動板16をゲートG、基板12にソース領域20とドレイン領域21をN形半導体として形成し、その上側には絶縁膜22を着膜形成する。角速度センサ11内のNチャンネルの絶縁ゲート形FETにより、コリオリ力F1 ,F2 による振動板16と基板12との離間寸法の変位は、チャンネル28を流れるドレイン電流の変化として検出される。

Claim (excerpt)：

半導体の基板と、該基板上に設けられた支持部に支持梁を介して支持された振動板を有する可動部と、該可動部の振動板に基板に対して水平方向の振動を与える振動発生手段と、該振動発生手段によって前記振動板に振動を与えている状態で、コリオリ力による該振動板の垂直方向への変位を検出する変位検出手段とを備え、前記可動部の振動板をゲートとし、該振動板に対向した前記基板の面にそれぞれ離間した状態でソース、ドレインを形成することにより、前記変位検出手段をゲート、ソースおよびドレインからなる電界効果トランジスタとして構成してなる角速度センサ。

IPC (3)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-025764
  
• 特公昭48-014877
  
• 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311762   Applicant：日本電装株式会社