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J-GLOBAL ID：200903056471919455
半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993311762
Publication number (International publication number)：1995159181
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、IC製造プロセスによって簡単に製造でき、トランジスタ構造によって電流値によるヨーレート検出信号が得られるようにした半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板11の表面に所定の間隔を隔てて、梁131 〜134 で支えた重り14を配置し、この重り14に一体的に可動電極151 、152 と励振電極161 〜164 を形成する。励振電極161 〜164 に対応して基板11に固定して励振用固定電極191〜194 を設けると共に、可動電極151 、152 の対向位置の基板11の面に、ソース電極171 、172 と共にドレイン電極181 、182 を拡散層により形成し、可動電極151 、152 に電圧を与えることによりソース・ドレイン間に反転層が形成され、ヨーレートによるコリオリ力による可動電極151 、152 の変位に対応して、ドレイン電流が変化し、この電流でヨーレートが検出されるようにする。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この半導体基板の上方に位置して前記半導体基板面から所定の間隔を隔てて配置され、梁構造体によって変位自在に支持された可動電極と、前記半導体基板の上方に位置して前記半導体基板面から所定の間隔を隔て且つ前記可動電極にギャップを介して配置され、前記可動電極を静電気を利用して振動させる励振用固定電極と、前記半導体基板の表面部に、前記可動電極に対向する位置に不純物拡散領域によって形成されたソースおよびドレイン電極とを具備し、前記可動電極さらにソースおよびドレイン電極によってトランジスタが構成され、前記励振用固定電極により所定の周期をもって前記可動電極を励振する際に伴う前記可動電極の変位によって前記ソースおよびドレイン電極間に電流変化が生ずるように構成され、この電流変化によってヨーレートが検出されるようにしたことを特徴とする半導体ヨーレートセンサ。
IPC (3)：
G01C 19/56
, G01P 15/08
, H01L 29/84
Cited by examiner (8)
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