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J-GLOBAL ID：200903084851163578

pチャネルMOSトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 島 昌司 ,  島宗 洋介 ,  畑田 明良 ,  片上 朗 ,  田村 直義
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005066029
Publication number (International publication number)：2006253318
Application date： Mar. 09, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】 応力印加により動作速度を向上させたpチャネルMOSトランジスタにおいて、動作速度を、費用を増大させずにさらに向上させる。【解決手段】 シリコン基板上に、チャネル領域に対応して、ゲート絶縁膜を介して形成され、両側壁面上にそれぞれの側壁絶縁膜を担持するゲート電極と、前記基板中、前記側壁絶縁膜の外側に形成された、p型のソースおよびドレイン領域とよりなるpチャネルMOSトランジスタにおいて、前記ソースおよびドレイン領域の各々を、p型の多結晶領域を内包するように形成し、前記多結晶領域に、圧縮応力を蓄積させる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上に、チャネル領域に対応して、ゲート絶縁膜を介して形成され、両側壁面上にそれぞれの側壁絶縁膜を担持するゲート電極と、 前記基板中、前記側壁絶縁膜の外側に形成された、p型のソースおよびドレイン領域とよりなるpチャネルMOSトランジスタであって、 前記ソースおよびドレイン領域の各々は、p型の多結晶領域を内包し、 前記多結晶領域は、圧縮応力を蓄積することを特徴とするpチャネルMOSトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L27/08 321E ,  H01L29/78 301S

F-Term (46)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG44 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH28 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-024468   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026580   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-336669   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-225223   Applicant：松下電器産業株式会社
• 高移動性バルク・シリコンPFET
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-532586   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-099860   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026580   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-336669   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-225223   Applicant：松下電器産業株式会社
• 高移動性バルク・シリコンPFET
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-532586   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-099860   Applicant：富士通株式会社