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J-GLOBAL ID：200903011930563444

高移動性バルク・シリコンPFET

Inventor： アンダーソン、ブレント、エー ,  ランゼロッティ、ルイス、ディー ,  ノワーク、エドワード、ジェイ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (4)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007532586
Publication number (International publication number)：2008514016
Application date： Sep. 19, 2005
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】 従来のPFETに比べて減少されたシリコン面積および電力消費での高速のスイッチング速度をもつ改良されたPFETと、改良されたPFETと同時に製造されることができるNFETとの両方を提供すること。【解決手段】 電界効果トランジスタ(100)及び電界効果トランジスタを製造する方法である。電界効果トランジスタは、ゲート誘電体層(155)の上面(170)に形成されたゲート電極(165)と、単結晶シリコン・チャネル領域(110)の上面(160)のゲート誘電体層と、Ge含有層(135)の上面の単結晶シリコン・チャネル領域と、単結晶シリコン基板(150)の上面のGe含有層と、単結晶シリコン基板の上面における第1誘電体層(215A)と第2誘電体層(215B)との間のGe含有層とを含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタであって、 ゲート誘電体層の上面に形成されたゲート電極を備え、前記ゲート誘電体層は単結晶シリコン・チャネル領域の上面にあり、前記単結晶シリコン・チャネル領域はGe含有層の上面にあり、前記Ge含有層は単結晶シリコン基板の上面にあり、前記Ge含有層は前記単結晶シリコン基板の前記上面の第1誘電体層と第2誘電体層との間にある、 電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (6)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 321E

F-Term (92)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA09 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BC11 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG39 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK37 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG39 ,  5F140BG49 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH28 ,  5F140BH34 ,  5F140BH35 ,  5F140BH36 ,  5F140BH45 ,  5F140BK02 ,  5F140BK08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK17 ,  5F140BK18 ,  5F140BK23 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 局所選択酸化を用いた絶縁体上のバルクおよびひずみを有するシリコン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-293720   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 漏れ電流の低い半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-078244   Applicant：フランセテレコム
• 電界効果型半導体装置、電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-163600   Applicant：三洋電機株式会社, 松尾直人
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-253247   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-169080
  
• MOSFETの構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051146   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-096505   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-009305   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (3)

• 局所選択酸化を用いた絶縁体上のバルクおよびひずみを有するシリコン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-293720   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 漏れ電流の低い半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-078244   Applicant：フランセテレコム
• 電界効果型半導体装置、電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-163600   Applicant：三洋電機株式会社, 松尾直人