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J-GLOBAL ID：200903084894581187

ITO導電膜およびその製造方法

Inventor： 中田 幸伸 ,  西岡 幸也 ,  音琴 秀則 ,  片山 幹雄 ,  高濱 学 ,  嶋田 吉祐
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992286489
Publication number (International publication number)：1994139844
Application date： Oct. 23, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 透明度が良好で膜厚が一定な、比抵抗が低いITO導電膜を再現性よく得る。【構成】 酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドーピングする。これをターゲット29としてスパッタリングを行うことにより、基板22上にITO導電膜を成膜する。この時、ターゲットから飛散する窒素により、スパッタ室内に吸着されている酸素や水分による不純ガスがこの窒素により置換緩和される。また、成膜されたITO導電膜中に窒素が取り込まれ、この窒素はドナーとして作用する。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドーピングしたターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成された窒素を含むITO導電膜。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245803   Applicant：キヤノン株式会社