半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204597
Publication number (International publication number)：1999135804
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】精度良く撓み部を形成することのできる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】重り部3のネック部3aが撓み部2の中央部2aに懸架支持され、撓み部2の両端(梁部2b)はフレーム1に支持されている。また、撓み部2の一面側には撓みによる抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗7が形成され、ピエゾ抵抗7と電気的に接続されるように拡散配線14が形成され、その上にシリコン酸化膜15及び保護膜16が形成されている。また、拡散配線14と電気的に接続されるようにメタル配線8が形成されており、重り部3の外周縁には、切り込み溝6に達する切り込み部5が形成されている。そして、重り部3に対応する箇所に凹部9aが形成された下部ストッパ9が接合されている。ここで、本実施形態においては、梁部2bを挟んでエッチャント導入口10が形成されている。

Claim (excerpt)：

上面側及び下面側を有するフレームと、複数の梁部及び中央部を有して成る撓み部であって、該梁部は前記フレームの内縁部の少なくとも一部分と前記中央部との間で延在し、前記梁部と前記中央部とが一体につながっている撓み部と、前記中央部に懸架支持されている重り部と、前記フレームの下面側を支持し、内側側面が前記重り部の側面と切り込み部を隔てて向かい合う支持部材と、前記重り部と前記梁部との間に形成された切り込み溝と、前記撓み部で発生する歪みを電気信号に変換して加速度を検出する加速度検出部とを有し、前記切り込み部と前記切り込み溝とが連通している半導体加速度センサであって、前記重り部及び前記支持部材とは半導体基板を用いて構成され、前記撓み部及び前記フレームは前記半導体基板上に設けたエピタキシャル層を用いて構成され、前記切り込み溝は犠牲層を除去することにより形成され、該犠牲層は前記エピタキシャル層に前記犠牲層に達するエッチャント導入口を設け、該エッチャント導入口からエッチャントを導入することにより除去するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 , G01L 5/16 , G01P 15/125

FI (4)：

H01L 29/84 A , H01L 29/84 Z , G01L 5/16 , G01P 15/125

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-035513 Applicant：株式会社東海理化電機製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261940 Applicant：日産自動車株式会社
加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-324031 Applicant：株式会社日立製作所

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