Pat
J-GLOBAL ID：200903084924468585

半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法

Inventor：
金 致旭

About 金 致旭


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000139092
Publication number (International publication number)：2000339966
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法を提供する。【解決手段】 本発明のデータ入力回路は制御信号発生回路、内部ストローブ発生回路及びデータセットアップ回路を具備する。制御信号発生回路は指定されたバースト長のデータが入力される間に活性化されるストローブ制御信号を発生する。内部ストローブ発生回路は外部データストローブ信号に同期し、指定されたバースト長のデータが入力されるとディスエーブルされる内部データストローブ信号を発生する。前記データセットアップ回路は順次に受信される入力データを前記内部データストローブ信号に応答して並列データに転換する。これにより、不確定状態のデータの半導体メモリ装置内部への入力を防止しうる。
Claim (excerpt)：
外部クロック信号に同期する同期式半導体メモリ装置において、入力命令及び入力データのバースト長情報を入力し、指定されたバースト長のデータが入力される間に活性化されるストローブ制御信号を発生する制御信号発生回路と、前記ストローブ制御信号に応答してイネーブルされて外部データストローブ信号に同期し、指定されたバースト長のデータが入力されるとディスエーブルされる内部データストローブ信号を発生する内部ストローブ発生回路と、順次に受信される入力データを前記内部データストローブ信号に応答して並列データに転換するデータセットアップ回路とを具備することを特徴とするデータ入力回路。
IPC (2)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/409
FI (3)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 P ,  G11C 11/34 354 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM