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J-GLOBAL ID：200903082078829640

半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法

Inventor：
李 相普

About 李 相普

, 
李 禎培

About 李 禎培


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 大塚 康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997333273
Publication number (International publication number)：1998214483
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 同期式半導体メモリ装置のクロックのサイクル時間tCCを短縮することは困難であった。【解決手段】 半導体メモリ装置において、入力データDINと同一のタイミングで入力されるデータクロック信号DCLKにより発生する反響クロック信号XCONに同期して、データDINを半導体メモリ装置に入力する。これにより、データの入力時、クロック同期からデータ出力までの所要時間(データアクセスタイム)tAC及びデータがメモリから制御部まで伝送されるにかかる時間tFLの影響を排除し、tCCを短縮することができる。
Claim (excerpt)：
半導体メモリ装置において、入力データと同一のタイミングで入力されるデータクロック信号に基づいて発生する反響クロック信号に同期して、前記入力データを前記半導体メモリ装置に入力することを特徴とするデータ入力回路。
IPC (3)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/417 ,  G11C 11/409
FI (3)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 354 P
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (2)

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