金属錯体及び金属薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：重野剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044764
Publication number (International publication number)：1997235287
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】成膜速度が大きく、気化残留物が残り難く、蒸発終了温度が低い金属錯体を提供する。【解決手段】下記一般式で表される金属錯体。この金属錯体を分解させることにより反応炉中に配置された基板上に金属薄膜を堆積させる金属薄膜形成方法。【化13】【効果】半導体装置の配線材料等として有用な各種金属薄膜を容易かつ効率的に形成することができる。

Claim (excerpt)：

下記一般式?@又は?Aで表される金属錯体。【化1】

IPC (9)：

C07F 1/08 , C07F 1/10 , C07F 15/00 , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C07F 17/02 , C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (11)：

C07F 1/08 A , C07F 1/10 , C07F 15/00 A , C07F 15/00 B , C07F 15/00 F , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C07F 17/02 , C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

アクリロニトリル二量体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055328 Applicant：旭化成工業株式会社
有機イリジウム化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-109541 Applicant：三菱マテリアル株式会社
特開昭58-154595

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