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J-GLOBAL ID：200903084950588734

レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法

Inventor： 藤村 尚 ,  川久 慶人 ,  三橋 浩 ,  松浦 由紀
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155892
Publication number (International publication number)：1999354463
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 レーザーのラインビームを複数回走査して大面積基板上の非晶質半導体膜をレーザアニールする時に、大面積基板上のパネル基板内にラインビームの重なり領域が生じるのを防止し、大面積基板上の非晶質半導体膜全面を均質に多結晶化して、液晶表示素子の表示品位向上及び生産歩留まりの向上を図る。【解決手段】 エキシマレーザアニール装置18の、集光レンズ26からステージ24に達する間にスリット装置27を設け、大面積基板10に照射されるラインビーム22の長さをパネル基板16の整数倍に成るよう調整した後大面積基板10を複数回走査する事により、パネル基板16内にラインビーム22の重なり領域を生じる事無く非晶質半導体膜14全面を均質に結晶化する。

Claim (excerpt)：

レーザ光を発振する発振手段と、前記レーザ光をライン状のビームに整形するビーム整形手段と、前記整形されたライン状のビームの長さを調整する調整手段とを有する事を特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザー光照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076813   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-282869