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J-GLOBAL ID:200903075397072083
レーザー光照射装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡田 敬
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996076813
Publication number (International publication number):1997270393
Application date: Mar. 29, 1996
Publication date: Oct. 14, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ラインビームを照射するレーザー光照射装置において、ラインビームの照射光強度分布を平坦化して、低照射光強度領域における微結晶形成を防ぎ、結晶粒の大きな非単結晶半導体層を得る。【解決手段】 被処理基板に近接してスリット20を設けた。スリット20はラインビームの光強度が低下する照射ビームの両端領域を遮断するので、中央の光強度分布が平坦になった領域の光のみが基板に照射される。照射領域では再結晶化が均一にかつ十分に行われ、微結晶粒が形成されて残り、結晶化が不十分になることが防がれるので、ラインビーム複数回走査することで大面積の結晶化アニールが良好に行われる。
Claim (excerpt):
レーザー光の発振源と、この発振源から照射されたレーザー光を複数のレンズの組み合わせからなる光学系より構成され、前記レーザー光を線状に変形して目標物に照射するレーザー光照射装置において、前記線状のレーザー光の線長方向の端部が前記目標物に照射されないように遮断したことを特徴とするレーザー光照射装置。
IPC (5):
H01L 21/268
, G02B 26/02
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (4):
H01L 21/268 B
, G02B 26/02 B
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平4-307727
-
特開平4-032221
-
特開平2-000317
-
特開昭57-027035
-
光処理装置および光処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-153850
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
特開平3-286518
-
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-043575
Applicant:ソニー株式会社
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