磁気抵抗効果素子及び磁気記憶装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001083877
Publication number (International publication number)：2002289941
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】微細なセルサイズにおいて小さなスイッチング磁場で動作し、ばらつきが小さく磁気抵抗変化率の低下が少ないトンネル接合型磁気素子を提供する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、第1の磁性積層膜、第2の磁性積層膜、及び前記第1、第2の磁性積層膜に挟まれた非磁性層からなる磁気抵抗素子部を一重以上積層した磁気抵抗効果素子であって、記憶層をなす第1の磁性積層膜は、他の非磁性層を挟んで上下両面に強磁性層が積層された3層の磁性積層膜からなり、磁化の方向を固定し基準層をなす第2の磁性積層膜は、強磁性層、又は強磁性層と反強磁性層とを積層した磁性積層膜からなり、非磁性層に接する磁性層は強磁性材料を構成元素として含み、第1の磁性積層膜をなす強磁性層は、厚さの不均一な連続膜、島状成長領域を有する膜、又は微粒子から構成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の磁性層と、前記第1の磁性層に積層された第1の非磁性層と、前記第1の非磁性層を介して前記第1の磁性層と積層され、かつ前記第1の磁性層と磁気結合した第2の磁性層と、前記第2の磁性層が前記非磁性層と接する面と反対側の面において前記第2の磁性層と積層された第2の非磁性層と、前記第2の非磁性層を介して前記第2の磁性層と積層形成された第3の磁性層とを備え、前記第1または第2の磁性層は厚さの不均一な連続膜、島状領域、もしくは複数の微粒子を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/08 , H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/08 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

F-Term (22)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034CA08 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR04 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F083PR38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

多重トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果素子、磁気センサおよび磁気記録センサヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221501 Applicant：株式会社日立製作所
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-157132 Applicant：アルプス電気株式会社

Cited by examiner (2)

多重トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果素子、磁気センサおよび磁気記録センサヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221501 Applicant：株式会社日立製作所
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-157132 Applicant：アルプス電気株式会社

Return to Previous Page