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J-GLOBAL ID：200903085032515879

半導体光検出装置およびその製造方法

Inventor：
牧内 正男

About 牧内 正男


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995114629
Publication number (International publication number)：1996316506
Application date： May. 12, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 安価に構成でき、受光素子と光導波路との間に高い効率の光結合を簡単かつ確実に形成することができる半導体光検出装置を提供することを目的とする。【構成】 支持基板上に担持され、光ビームを導波する光導波路と、前記支持基板上に設けらた受光素子と、前記光導波路から出射した光ビームの光路を受光素子中の前記受光部に至る光路に変換する光路変換手段とよりなる半導体光検出装置において、前記光導波路を、前記導波路中を導波される光ビームが出射する端面を備えるように構成し、前記光路変換手段を前記受光素子上に形成された斜面より構成する。
Claim (excerpt)：
支持基板と;前記支持基板上に担持され、光ビームを第1の光路に沿って導波する光導波路と;前記支持基板上に設けられ、入射した光ビームに応答する受光部を含む受光素子と;前記光導波路から出射した光ビームの光路を、前記第1の光路から前記受光素子中の前記受光部に至る第2の光路に変換する光路変換手段とよりなる半導体光検出装置において、前記光導波路は、前記導波路中を導波される光ビームを前記第1の光路に沿って出射させる端面を備え、前記受光素子は、前記支持基板上に、前記光導波路端面から出射した光ビームが入射するように設けられ、前記光路変換手段は、前記受光素子上に、前記光導波路の前記端面から出射した光ビームが入射するように形成されることを特徴とする半導体光検出装置。
IPC (3)：
H01L 31/0232 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/14
FI (3)：
H01L 31/02 D ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/14 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体受光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-212406   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平3-004571
  • 特開平4-373180
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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