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J-GLOBAL ID：200903085050451942

半導体レーザ素子

Inventor： 林 伸彦 ,  茨木 晃
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996170281
Publication number (International publication number)：1998022561
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 活性層に垂直方向のビーム広がり角度が小さく、且つ、接合部の温度上昇を抑えることができる高信頼性の半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】 レーザの垂直ビーム広がり角度が20度程度と薄い活性層3を中心にして、左右非対称の導波構造を設定し、その左右非対称の屈折率分布によって活性層3からの光のしみ出しを基板1側のクラッド層2の方へ片寄らせ、コンタクト層5側への光のしみ出しを抑え、コンタクト層5側のクラッド層4の膜厚を薄く設定することによって、活性層3で発生した熱をヒートシンク側へ効率良く逃がし温度特性を改善する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板上に形成された、前記第1導電型のクラッド層と、活性層と、前記第1導電型とは逆の導電型となる第2導電型クラッド層と、前記第2導電型のコンタクト層とが、この順序で積層されてなる半導体レーザ素子において、前記活性層を中心にして、該活性層の上層と下層とが非対称な導波構造としたことを特徴とした半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042837   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭64-024488
  

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042837   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭64-024488