Pat
J-GLOBAL ID：200903085059742818

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
小野 敦

About 小野 敦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004291261
Publication number (International publication number)：2006108285
Application date： Oct. 04, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：
【課題】湿気の籠もりにくい中空構造内に半導体素子を内包した、ウエハレベルのチップ・スケール・パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1と、前記半導体基板の一方主面の素子領域22に設けられた半導体素子21と、前記一方主面に設けられ、前記素子領域を取り囲む封止部材4と、前記素子領域との間に中空7が形成されるようにして、前記封止部材を介して前記半導体基板に貼り合わされた光透過性部材2とを備えた半導体装置であって、前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔3が設けられ、前記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口している半導体装置。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板の一方主面の素子領域に設けられた半導体素子と、 前記一方主面に設けられ、前記素子領域を取り囲む封止部材と、 前記素子領域との間に中空が形成されるようにして、前記封止部材を介して前記半導体 基板に貼り合わされた光透過性部材と を備えた半導体装置であって、 前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔が設けられ、 前記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口している ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/14 ,  H01L 23/02 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H01L27/14 D ,  H01L23/02 F ,  H04N5/335 V
F-Term (18)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA30 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX23 ,  5C024EX24 ,  5C024EX25 ,  5C024EX43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM