Pat
J-GLOBAL ID:200903086212120437
光素子及びその製造方法並びに電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001165017
Publication number (International publication number):2002094082
Application date: May. 31, 2001
Publication date: Mar. 29, 2002
Summary:
【要約】【課題】 装置の小型化を図るとともに両面の電気的導通を確保することができる光素子及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 光素子の製造方法は、光学部13と、光学部13と電気的に接続された電極2と、を備えた半導体素子3に貫通穴4を形成することと、貫通穴4の内壁面を含み、半導体素子3の光学部13が形成された側の第1の面Bから、この第1の面Bに対向する第2の面Aに亘る導電層8を形成することと、を有する。
Claim (excerpt):
光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を備えた半導体素子に貫通穴を形成することと、前記貫通穴の内壁面を含み、前記半導体素子の前記光学部が形成された側の第1の面から、前記第1の面に対向する第2の面に亘る導電層を形成することと、を有する光素子の製造方法。
IPC (5):
H01L 31/02
, H01L 21/3205
, H01L 23/12 501
, H01L 27/14
, H04N 5/335
FI (5):
H01L 23/12 501 P
, H04N 5/335 U
, H01L 31/02 B
, H01L 27/14 D
, H01L 21/88 J
F-Term (58):
4M118AA09
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118EA05
, 4M118GC07
, 4M118GD07
, 4M118HA02
, 4M118HA24
, 4M118HA29
, 4M118HA31
, 5C024BX01
, 5C024BX06
, 5C024BX07
, 5C024CY47
, 5C024EX25
, 5C024GX02
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ13
, 5F033KK07
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033KK13
, 5F033MM30
, 5F033PP15
, 5F033PP28
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ13
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033QQ53
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033SS11
, 5F033VV07
, 5F033XX00
, 5F088BA15
, 5F088BA16
, 5F088BB03
, 5F088DA20
, 5F088EA16
, 5F088FA09
, 5F088FA11
, 5F088HA05
, 5F088JA09
, 5F088JA12
, 5F088JA13
, 5F088JA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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特開昭61-128564
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マイクロエレクトロニクス素子とエッチング困難な半導体材料と金属化された孔とを備えた構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-173636
Applicant:コミツサリアタレネルジーアトミーク
-
特開昭62-243370
-
特開昭53-026689
-
半導体モジユール構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-179719
Applicant:富士通株式会社
-
特開昭59-222954
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-259861
Applicant:新光電気工業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-260474
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-047154
Applicant:株式会社東芝
-
赤外線デバイス用集積シリコン真空マイクロパッケージ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-516908
Applicant:ハネウエル・インコーポレーテッド
-
特開昭58-170052
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-060652
Applicant:キヤノン株式会社
-
マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-254538
Applicant:松下電子工業株式会社
-
太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-137032
Applicant:シャープ株式会社
-
受発光機構素子および光通信素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-164618
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭63-062267
-
特開昭63-126250
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