洗浄方法及びその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996148606
Publication number (International publication number)：1997038595
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハの表面に対して例えばフッ酸処理を行った後純水で洗浄(リンス)するにあたり、水、空気中の酸素、シリコンの反応による反応物の析出を抑え、パーティクルの発生を低減すること。【構成】ウエハWを回転載置部3に保持して80rpmで回転させ、先ずノズル6からフッ酸溶液60をウエハW表面に供給し、次いでノズル7からウエハW表面に純水70を供給して洗浄し、純水70の供給停止の直前からイソプロピルアルコール(IPA)80を供給する。IPA80は純水70に溶解して、純水70がIPA80により、マランゴニ-効果と回転による遠心力によって押し出されて完全に置換され、これにより純水70が除去される。この後回転数を300rpmで1秒間、次いで2000rpmで4秒間、最後に4000rpmで15秒間回転させてスピン乾燥を行なう。

Claim (excerpt)：

回転載置部に被処理基板を載置して回転させながら、被処理基板の表面に洗浄液を供給して洗浄する工程と、続いて前記被処理基板を回転させながら被処理基板の表面に置換媒体液を供給して前記洗浄液を当該置換媒体液で置換する工程と、その後前記被処理基板を回転させながら被処理基板の表面の置換媒体液を回転による遠心力で除去する工程と、を含み、前記置換媒体液は、前記洗浄液と混合性がありかつ前記洗浄液より表面張力が小さいことを特徴とする洗浄方法。

IPC (3)：

B08B 3/02 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304 351

FI (3)：

B08B 3/02 B , H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 351 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体製造方法および半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-210013 Applicant：株式会社日立製作所

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