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J-GLOBAL ID：200903085185298648

光デバイスの製造方法及び実装構造

Inventor： 水田 聡 ,  西本 裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021772
Publication number (International publication number)：1997197178
Application date： Jan. 12, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】光導波路を形成した基板への溝を光導波路形成プロセスの方法如何に依らずに確実に形成し、この溝を使った光ファイバの実装や光ファイバガイド溝付き基板の位置決めガイドピン等の実装を高精度に行うことを可能とする光デバイスの製造方法の提供。【解決手段】ドライエッチングに対する耐久性を有する材料からなる第1の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン形成し、この第1の層をマスクにしたエッチングで、基板の溝形成エッチャントに対する耐久性を有する材料からなる第2の層も前記マスクの形にパターン形成し、これを溝形成エッチングのマスクに用いて基板に溝を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に光導波路回路が形成され、前記基板上の光素子及び光ファイバが光学的に結合するように配置される光デバイスの製造方法において、(a)ドライエッチングに対する耐久性を有する材料からなる第1の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン化する工程と、(b)前記パターン化された第1の層をマスクとするエッチングにより、基板の溝形成エッチャントに対する耐久性を有する材料からなる第2の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン化する工程と、(c)前記パターン化された第2の層をマスクとして前記基板をエッチングすることにより、前記溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/30 ,  G02B 6/12

FI (2)：

G02B 6/30 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136351   Applicant：日本電気株式会社