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J-GLOBAL ID:200903085291142436

近赤外線遮蔽体の製造方法、およびディスプレイ用板状体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005169783
Publication number (International publication number):2006341204
Application date: Jun. 09, 2005
Publication date: Dec. 21, 2006
Summary:
【課題】本発明は、高温高湿な使用条件下における近赤外線吸収特性の経時劣化が抑制された、透光性の高い近赤外線遮蔽体およびそれをもちいたディスプレイ用板状体を提供する。【解決手段】基材と、前記基材の一方の主面上に配置された近赤外線吸収層とを備えた近赤外線遮蔽体の製造方法であって、1種以上の近赤外線吸収化合物と溶媒とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布することにより、前記近赤外線吸収層を形成する、近赤外線吸収層形成工程を含み、前記溶媒は、前記1種以上の近赤外線吸収化合物のうちの少なくとも1種の近赤外線吸収化合物の25°Cにおける溶解度が0.01重量%以上1.5重量%未満の貧溶媒と、前記1種以上の近赤外線吸収化合物のうちの少なくとも1種の近赤外線吸収化合物の25°Cにおける溶解度が1.5重量%以上の良溶媒とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基材と、前記基材の一方の主面上に配置された近赤外線吸収層とを備えた近赤外線遮蔽体の製造方法であって、 1種以上の近赤外線吸収化合物と溶媒とバインダー樹脂とを含む塗料を塗布することにより、前記近赤外線吸収層を形成する、近赤外線吸収層形成工程を含み、 前記溶媒は、前記1種以上の近赤外線吸収化合物のうちの少なくとも1種の近赤外線吸収化合物の25°Cにおける溶解度が0.01重量%以上1.5重量%未満の貧溶媒と、前記1種以上の近赤外線吸収化合物のうちの少なくとも1種の近赤外線吸収化合物の25°Cにおける溶解度が1.5重量%以上の良溶媒とを含むことを特徴とする近赤外線遮蔽体の製造方法。
IPC (8):
B05D 5/06 ,  B05D 7/24 ,  B32B 27/18 ,  C09D 5/32 ,  C09D 7/12 ,  C09D 201/00 ,  C09K 3/00 ,  G02B 5/22
FI (8):
B05D5/06 A ,  B05D7/24 303Z ,  B32B27/18 A ,  C09D5/32 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  C09K3/00 105 ,  G02B5/22
F-Term (56):
2H048CA04 ,  2H048CA12 ,  2H048CA24 ,  4D075CB07 ,  4D075DA04 ,  4D075DB48 ,  4D075DC24 ,  4D075EB35 ,  4D075EC08 ,  4D075EC30 ,  4D075EC51 ,  4D075EC60 ,  4F100AA17H ,  4F100AH03H ,  4F100AH08B ,  4F100AH08H ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100CA07B ,  4F100CC00B ,  4F100EH462 ,  4F100GB41 ,  4F100JB07 ,  4F100JB08B ,  4F100JD10B ,  4F100JD10H ,  4F100JJ03 ,  4F100JN01 ,  4F100YY00B ,  4J038BA021 ,  4J038CC031 ,  4J038CD031 ,  4J038CE071 ,  4J038CF021 ,  4J038CG001 ,  4J038DB001 ,  4J038DD001 ,  4J038DJ031 ,  4J038JA02 ,  4J038JA05 ,  4J038JA19 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA34 ,  4J038JA56 ,  4J038JA70 ,  4J038JB13 ,  4J038JB16 ,  4J038JB27 ,  4J038JB28 ,  4J038JC38 ,  4J038KA06 ,  4J038KA08 ,  4J038KA12 ,  4J038NA19 ,  4J038PB09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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