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J-GLOBAL ID：200903098997078786

多層光起電力素子または光導電素子とその製造方法

Inventor：
ペトリッシュ、クラウス

About ペトリッシュ、クラウス

, 
グランストロム、マグナス

About グランストロム、マグナス


Applicant, Patent owner：
ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

About ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド


Agent (1)： 千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000538395
Publication number (International publication number)：2002508599
Application date： Feb. 02, 1999
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：
【要約】本発明は光学的に吸収性を有する光電素子、特に、光起電力性素子および光導電素子に関する。特に、多数の半導電層、例えば、有機半導電性ポリマーから形成された素子に関する。このような素子は、2つの中心的な第1および第2半導電層を有する。2層は、該2層の間に混合層を形成するために互いに積層される。この際、混合層の両側には、各層の少なくとも幾分かが残存する。
Claim (excerpt)：
第1電極と主に第1半導電材料を含有する第1半導電層とを具備する第1部品と、第2電極と主に第2半導電材料を含有する第2半導電層とを具備する第2部品とを互いに積層することを有する光起電力素子または光導電素子の製造方法であって、 積層工程が、前記第1半導電層と前記第2半導電層とを制御しながら互いに接合することと、 前記第1半導電層に比して相対的に少ない前記第1半導電材料と、前記第2半導電層に比して相対的に少ない前記第2半導電材料とを有する混合層を形成し、その一方で肉厚の減少した前記第1および第2半導電層を残存させることと、 を有することを特徴とする光起電力素子または光導電素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01L 31/10 ,  H01L 49/00
FI (3)：
H01L 49/00 ,  H01L 31/08 T ,  H01L 31/10 A
F-Term (8)：
5F049MB08 ,  5F049NA08 ,  5F049NB10 ,  5F049PA20 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088BA18 ,  5F088BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 光起電力素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-333091   Applicant：日本石油株式会社
  • 光応答性装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-516716   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
Cited by examiner (2)
  • 光起電力素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-333091   Applicant：日本石油株式会社
  • 光応答性装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-516716   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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