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J-GLOBAL ID：200903085400346101

イオン注入装置

Inventor： 河合 禎
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995348105
Publication number (International publication number)：1997167593
Application date： Dec. 14, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減する。【解決手段】 基板6を保持する基板保持手段を、基板6を静電気によって吸着する静電チャック20を用いて構成した。かつ、プラズマ34を発生させてそれを、静電チャック20上の基板6に照射されるイオンビーム2の近傍または当該基板6の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板6上での正電荷を中和する中和装置30aを設けた。

Claim (excerpt)：

真空中で、基板保持手段に保持された基板にイオンビームを照射して当該基板にイオン注入を行うイオン注入装置において、前記基板保持手段を、基板を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、この静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01J 37/317 B ,  H01L 21/265 E ,  H01L 21/265 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 基板保持装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343706   Applicant：日新電機株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-089239   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 粒子線照射装置の帯電抑制装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-202782   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-047655