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J-GLOBAL ID：200903085413896577

低抵抗導電性顔料及びその製造方法

Inventor： 林 年治 ,  関口 昌宏 ,  西原 明
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308320
Publication number (International publication number)：1994247716
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Sep. 06, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 In+Sn合計量に対して1〜15モル%のSnを含有する錫含有酸化インジウム(ITO) からなる導電性顔料を低抵抗化し、色調を改善する。【構成】 ?@ITO 顔料をアルコール、ケトン、エステルまたはアミン中に浸漬後、減圧または不活性ガス中500 °C以下で熱処理するか、或いはH2、NH3 またはCOを0.5-20vol%含有する不活性ガス中500 °C以下で熱処理して、表面酸性量を8×10-7〜1×10-5 mol/m2 にすると、体積抵抗率(50kg/cm2 圧粉体) が2×100 未満、2×10-2Ω・cm以上となる。?AITO 顔料またはその前駆水酸化物を不活性ガス中または減圧下 300〜1150°Cで熱処理して、ITO 結晶に0.05〜0.35モルの酸素空孔を導入すると、xy色度図上でx値 0.265〜0.300 、y値 0.290〜0.315 の青みを帯びた視認性に優れた色調を持ち、体積抵抗率が8×10-1〜1×10-2Ω・cmとなる。?B上記?Aと?@の処理を順に行う。

Claim (excerpt)：

錫を含有する酸化インジウム結晶からなる導電性顔料であって、In+Snの合計量に対するSn含有量が1〜15モル%、表面酸性量が8×10-7〜1×10-5 mol/m2 、かつ50 kg/cm2 圧粉体について四探針法で測定した体積抵抗率が2×100 Ω・cm未満、2×10-2Ω・cm以上であることを特徴とする導電性顔料。

IPC (6)：

C01G 19/00 ,  C08K 3/22 KAE ,  C09C 1/00 PAA ,  C09D 5/24 PQW ,  H01B 1/00 ,  H01B 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平1-100023
  
• ITO粉末の低抵抗化処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-206338   Applicant：住友金属鉱山株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開平1-100023
  
• ITO粉末の低抵抗化処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-206338   Applicant：住友金属鉱山株式会社