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J-GLOBAL ID：200903085428232144

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 中村 修二 ,  長濱 慎一 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995332056
Publication number (International publication number)：1997219556
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる具体的なLDの構造を提案して、窒化物半導体でレーザ素子を実現する。【構成】 少なくとも基板の上にInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるn型コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のn型クラッド層と、多重量子井戸構造の窒化物半導体よりなる活性層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のp型クラッド層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第三のp型クラッド層と、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるp型コンタクト層とが積層された構造を有する。

Claim (excerpt)：

少なくとも基板の上にInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるn型コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のn型クラッド層と、多重量子井戸構造の窒化物半導体よりなる活性層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のp型クラッド層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第三のp型クラッド層と、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるp型コンタクト層とが積層された構造を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027522   Applicant：松下電器産業株式会社