Pat

J-GLOBAL ID：200903016671181190

半導体発光素子

Inventor： 熊渕 康仁 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  粂 雅博 ,  石橋 明彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996027522
Publication number (International publication number)：1997191160
Application date： Feb. 15, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型SiC基板101上に、n型GaN層102、n型AlGaNクラッド層103n、n型GaN型光ガイド層104n、InGaN量子井戸活性層105、p型GaN光ガイド層104p、p型AlGaNクラッド層103p、p型GaNコンタクト層105が順次形成されている。さらに、p型光ガイド層104p中には、InGaN可飽和吸収層200が形成されている。この構造では、可飽和吸収層の体積を小さくすると同時に光ガイド層中に可飽和吸収層を設けている。可飽和吸収層の体積を小さくするほど、キャリア密度を容易に上げることができ、飽和状態になりやすく、可飽和吸収の効果が顕著となる。これにより、安定した自励発振特性が得られる。

Claim (excerpt)：

活性領域は、窒化ガリウム系化合物半導体により構成され、自励発振特性を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038561   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-041492   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-318275   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭58-159349
  
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-093298   Applicant：株式会社東芝