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J-GLOBAL ID：200903085463977748

半導体装置

Inventor： 志賀 信夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993010780
Publication number (International publication number)：1994224448
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高利得の可変利得アンプ、ミキサ回路およびこれらに適したデュアルゲートFETを得ること。【構成】 この発明のデュアルゲートFETは、第1ゲート電極(ソース側ゲート電極)24のゲート幅と第2ゲート電極(ドレイン側ゲート電極)25のゲート幅とが互いに異なる。これを、可変利得アンプに適用すると高利得が得られる。また、第1ゲート電極と第2ゲート電極のゲート幅の大小関係を逆にしてミキサ回路に適用することにより高利得が得られる。

Claim (excerpt)：

第1ゲート電極のゲート幅と第2ゲート電極のゲート幅が異なっていることを特徴とするデュアルゲート電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/804 ,  H01L 29/76 ,  H03G 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-214056
  
• デュアルゲート電界効果型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092391   Applicant：ソニー株式会社
• 特公昭58-027436