Pat

J-GLOBAL ID：200903085568926855

半導体センシングデバイスおよびその製造方法と、該デバイスを有してなるセンサ

Inventor： 逢坂 哲彌 ,  丹羽 大介
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002278203
Publication number (International publication number)：2004117073
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】オンチップでの超高感度、マイクロマルチ-イオン・バイオセンシングデバイス構築のための非常に効果的な半導体デバイスと、その製造方法、さらに、この半導体センシングデバイスを用いたセンサを提供する。【解決手段】シリコン基板上にシリコン酸化物などの無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を形成し、この単分子膜を直接的な検出部として用いる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成された無機酸化膜層の表面に、極微量の被検出物質を接触させる反応部とこの反応部を囲むテンプレート部を有する薄膜状電極部が形成され、前記電極部における電気的変化をリアルタイムで検知する半導体トランジスタを有する検出部が設けられている半導体センシングデバイスであって、 前記テンプレート部が第1単分子膜で構成され、前記反応部が前記第1単分子膜と末端部特性が異なる第2単分子膜で構成されていることを特徴とする半導体センシングデバイス。

IPC (5)：

G01N27/414 ,  C12M1/00 ,  C12M1/34 ,  C12N15/09 ,  G01N27/416

FI (11)：

G01N27/30 301G ,  C12M1/00 A ,  C12M1/34 E ,  C12M1/34 F ,  C12M1/34 Z ,  G01N27/30 301L ,  G01N27/30 301K ,  G01N27/30 301W ,  G01N27/30 301R ,  G01N27/46 353Z ,  C12N15/00 F

F-Term (27)：

4B024AA11 ,  4B024BA07 ,  4B024BA41 ,  4B024CA01 ,  4B024HA12 ,  4B024HA15 ,  4B029AA07 ,  4B029BB16 ,  4B029BB17 ,  4B029BB20 ,  4B029CC03 ,  4B029FA12 ,  4B029FA13 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ61 ,  4B063QQ79 ,  4B063QQ96 ,  4B063QR01 ,  4B063QR32 ,  4B063QR48 ,  4B063QR55 ,  4B063QS26 ,  4B063QS33 ,  4B063QS34 ,  4B063QX01