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J-GLOBAL ID：200903085664591287

太陽電池

Inventor： 北谷 健 ,  矢澤 義昭 ,  綿引 誠次 ,  田村 克 ,  峯邑 純子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096388
Publication number (International publication number)：1997283782
Application date： Apr. 18, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 井戸内でのキャリアの再結合損失を低減することにより光電変換効率の高める多重量子井戸構造の太陽電池を提供する【解決手段】 半導体のp型領域(例:SiドープのAl0.2Ga0.8Sb)とn型領域(例:BeドープのAl0.2Ga0.8Sb)に挟まれた領域に低不純物濃度領域を有し、この低不純物濃度領域がp型およびn型領域2を形成する第1の半導体材料と同一の半導体材料(Al0.2Ga0.8Sb)からなる障壁層と、第1の半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する第2の半導体材料(GaSb)からなる井戸層とを交互に30nm程度の薄い層で100サイクル程度積層した量子井戸構造とした太陽電池であって、狭い禁制帯幅を有する半導体材料のエネルギーバンド構造(E-k)においてk=0のΓ点で伝導帯に形成される量子準位のエネルギー6が、その伝導帯におけるX,L点のエネルギー極小値7よりも高いこと、あるいは低い場合でもそのエネルギー差を室温での熱エネルギーの4倍以内であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の半導体材料から形成されたp型領域およびn型領域と、該p型領域と該n型領域間に挟まれた低不純濃度領域からなり、該低不純濃度領域が第1の半導体材料からなる層と、該第1の半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する第2の半導体材料からなる層とを交互に積層した井戸構造である太陽電池において、シュレディンガーの波動方程式から導かれエネルギー・波数(E-k)で示される第2の半導体材料のエネルギーバンド構造における伝導帯の第1のエネルギー極小値が該伝導帯の第2のエネルギー極小値より高くなるように第2の半導体材料からなる層を薄く形成したことを特徴とする太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-112383
  
• 分子線エピタキシヤル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225740   Applicant：日本電気株式会社