マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305784
Publication number (International publication number)：1998223833
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】装置の平面面積が小さく、構造が単純で、かつ厚さが薄いマルチチップ半導体装置を実現すること。【解決手段】素子が集積形成されたシリコン基板2を有するチップ11 ,12 ,13 が積層されたマルチチップ半導体装置において、各チップ11 ,12 ,13は、それぞれ、シリコン基板2を貫通する貫通孔内に金属プラグ4が形成された構造を有し、かつこの金属プラグ4を介してチップ間の電気的接続がとられている。

Claim (excerpt)：

表面に素子が集積形成され半導体基板と、この半導体基板表面上に形成された層間絶縁膜とを有するチップを複数積層してなるマルチチップ半導体装置において、少なくとも1つのチップは、その半導体基板および層間絶縁膜を貫通する貫通孔内に、金属からなる接続プラグが形成された構造を有し、かつこの接続プラグを有する少なくとも1つのチップは、前記接続プラグを介して他のチップと電気的に接続されていることを特徴とするマルチチップ半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平1-098253
特開平4-053271
特開昭60-007149

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Cited by examiner (10)

特開平1-098253
特開平1-098253
特開平4-053271

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