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J-GLOBAL ID：200903085687650787

半導体ウエハの試験装置および試験方法

Inventor： 辻出 徹 ,  菱井 利祐 ,  中泉 一雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994206133
Publication number (International publication number)：1995115113
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ上に配列された多数の半導体チップをウエハ状態のままで測定したりバーンインする。【構成】 テスティング基板2を被試験ウエハ1と同じ材質のシリコンウエハとし、ウエハ1のパッド3に対応した位置にパッド4を形成し、両方のウエハ間の導通を異方性導電膜5でとる。テスティング基板2には、電源線7グランド線8等のバーンインに必要となる回路やウエハ上の各々のチップの測定に必要な回路が形成されている。テスティング基板2はガラス基板13によって補強され、また被試験ウエハ1は平坦なステージ14上で真空チャックされ、ウエハの反りが除去され、テスティング基板2との重ね合わせがずれることなくできるようになっている。

Claim (excerpt)：

ウエハ上に配列された多数の半導体チップを一括して測定またはバーンインする半導体ウエハの試験装置であって、熱膨張率が13×10-6/°C以下の材料よりなるテスティング基板上に被試験ウエハの各チップに対する電源供給回路、電源電流制限回路、チップセレクト回路を含む能動回路が形成され、かつ被試験ウエハ上のチップのボンディングパッドと対応して形成されたパッド上には異方性導電膜が被着形成されていることを特徴とする半導体ウエハの試験装置。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体チップの選別装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-288912   Applicant：日本エンジニアリング株式会社