イットリウムシリケート蛍光体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996133041
Publication number (International publication number)：1997316444
Application date： May. 28, 1996
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【目的】 γ特性及び温度特性が良好で、かつ長寿命なイットリウムシリケート蛍光体の製造方法を提供する。【構成】希土類酸化物と二酸化ケイ素からなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持ち、前記混合原料を1450°C〜1650°Cの範囲でフラックスを添加せずに焼成することを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体の製造方法。≦Dl/Ds≦1.52.0≦Da≦6.02.7≦Dm≦11.01.0≦Dm/Da≦2.00≦σlog≦0.30ここで、Dlは粒子の長径(μm)、Dsは短径(μm)、Daは平均粒径(μm)、Dmは中央粒径(μm)、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。

Claim (excerpt)：

希土類酸化物と二酸化ケイ素からなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持ち、前記混合原料を1400°C〜1650°Cの範囲でフラックスを添加せずに焼成することを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体の製造方法。Dl/Ds≦1.52.0≦Da≦6.02.0≦Dm≦12.01.0≦Dm/Da≦2.00≦σlog≦0.30ここで、Dlは粒子の長径(μm)、Dsは短径(μm)、Daは平均粒径(μm)、Dmは中央粒径(μm)、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。

IPC (3)：

C09K 11/79 CPR , C09K 11/08 , H01J 9/22

FI (3)：

C09K 11/79 CPR , C09K 11/08 B , H01J 9/22 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭62-260885
球状希土類酸化物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199409 Applicant：信越化学工業株式会社
球状希土類酸化物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199442 Applicant：信越化学工業株式会社

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