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J-GLOBAL ID：200903085725426160

集積回路の作製方法

Inventor：
トーマス ジェー.クラットシック

About トーマス ジェー.クラットシック


Applicant, Patent owner：
アギア システムズ ガーディアン コーポレーション

About アギア システムズ ガーディアン コーポレーション


Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260998
Publication number (International publication number)：2002134625
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、集積回路の作製方法を提供する。【解決手段】 抵抗への接触を形成する金属層と同じ層内に形成された金属導電体のルートを形成するための増加した領域を有するフィールドプレート抵抗を含む集積回路が、一連のプロセス工程で形成される。
Claim (excerpt)：
基板の活性領域中に抵抗を形成し、抵抗は端部が相互に近接した第1及び第2の接触領域を有する抵抗基体を有する工程:抵抗上に絶縁性材料の第1の層を形成する工程:第1の接触抵抗に近接して、絶縁性材料の第1の層を貫いて、窓を形成する工程:フィールドプレートを規定するため、絶縁性材料の第1の層上に、ポリシリコンの層を形成し、ポリシリコンは抵抗の第1の接触領域と接触を形成し、フィールドプレートは第2の接触領域の近くまで、抵抗基体上を延びる工程:ポリシリコン層上に、絶縁性材料の第2の層を形成する工程:ポリシリコンフィールドプレート及び第2の接触領域に接続するため、絶縁性材料の第2の層を貫いて、窓を形成する工程:金属層を形成する工程:及びポリシリコンフィールドプレート上に導電体を形成するため、不要な金属をエッチング除去し、導電体は抵抗への接触を形成するのと同じ金属層中に形成される工程を含むフィールドプレート抵抗を含む集積回路の作製方法。
IPC (3)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04
FI (2)：
H01L 27/04 P ,  H01L 21/88 Z
F-Term (31)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033NN03 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV09 ,  5F038AR09 ,  5F038AR16 ,  5F038AR27 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ18 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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