ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993165406
Publication number (International publication number)：1995074147
Application date： Jul. 05, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 3層レジスト・プロセスにおいて、形状異方性と対下地選択性を良好に維持しながら下層レジスト層をエッチングする。【構成】 ECRプラズマ、誘導結合プラズマ等、1011イオン/cm2 以上のイオン密度を達成可能な高密度プラズマ装置を用い、放電解離条件下で炭素系堆積物と酸素系活性種とを生成可能なエッチング・ガスを用いて下層レジスト層10をエッチングする。エッチング・ガスの一次解離により生成するC成分と、エッチング反応生成物であるCOx が高密度プラズマ中で再解離することにより生ずるC成分の両者の寄与により、効率良く側壁保護膜13が形成される。【効果】異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーを低減でき、高選択性が達成できる。側壁保護膜13はアッシング時に容易に除去できるので、パーティクル汚染を起こさない。

Claim (excerpt)：

イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成可能なエッチング装置に炭素系堆積物と酸素系活性種とを生成可能なエッチング・ガスを導入し、基板上に形成された有機材料層を所定の形状にパターニングされた無機材料層をマスクとしてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 H , H01L 21/302 F , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭59-169136
特開平4-171723
特開平4-334021

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