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J-GLOBAL ID：200903085776587380

自然酸化膜除去装置

Inventor： 近藤 浩 ,  立花 光博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057004
Publication number (International publication number)：1993217919
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハなどの被処理体の自然酸化膜の再成長を抑えること。【構成】 ガスチャンバ51内に、ウエハカセット54を搬出入するための搬出入ステージ52と、フッ酸蒸気により洗浄を行なう洗浄装置6と、赤外線ランプ75を用いた加熱部7と、ウエハの移載機構53とを設置する。ステージ52内に洗浄前のウエハWを収納したカセット54を搬入した後、ガス導入管51a、排気管51bによりガスチャンバ51内を窒素ガスにより置換し、移載機構53によりカセット54内のウエハWを洗浄装置6に受け渡し、ここで洗浄後、加熱部7にて加熱し、残留副生成物を除去する。その後ウエハWは窒素ガス雰囲気の予備室4などを介して成膜処理炉1内に搬送される。

Claim (excerpt)：

洗浄前の被洗浄体を収納するための被洗浄体収納部と、前記被洗浄体を洗浄してその表面の自然酸化膜を除去するための洗浄装置と、前記被洗浄体収納部に収納された洗浄前の被洗浄体を洗浄装置に受け渡すと共に、洗浄済みの被洗浄体を洗浄装置から受取るための移載機構と、を不活性ガス雰囲気とされるガスチャンバ内に配置したことを特徴とする自然酸化膜除去装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ウエハ洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180239   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-014222
  
• 特開平4-014222
  
• 特開平3-055840
  
• 特開平3-055840