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J-GLOBAL ID：200903085777049187

電子サイクロトロン共鳴プラズマ成膜プロセスおよび一重壁カーボンナノチューブのための装置ならびにそれによって得られたナノチューブ

Inventor：
マルク・ドゥロネ

About マルク・ドゥロネ

, 
シリル・ヴァニュフェル

About シリル・ヴァニュフェル


Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

About コミツサリア タ レネルジー アトミーク


Agent (8)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002537667
Publication number (International publication number)：2004512247
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：
本発明は、無触媒基体上における一重壁カーボンナノチューブの電子サイクロトロン共鳴プラズマによる成膜に関するものであって、磁気ミラーを有した磁気閉込構造を具備しているとともに基体に対向した少なくとも1つの電子サイクロトロン共鳴領域を内部にまたは境界部分に備えている成膜チャンバ内に、マイクロ波パワーを注入し、これにより、成膜チャンバの中央においてかつ磁気ミラー内において、カーボンを含有したガスを、10-3mbar以下の圧力において解離および/またはイオン化させ、生成した種を、加熱した基体上に成膜させる、という方法において、基体表面を、凹凸形状を有したものとする。本発明は、また、得られた一重壁カーボンナノチューブ(SWNT)に関するものである。
Claim (excerpt)：
無触媒基体上において一重壁カーボンナノチューブを電子サイクロトロン共鳴プラズマによって成膜するための方法であって、 磁気ミラーを有した磁気閉込構造を具備しているとともに前記基体に対向した少なくとも1つの電子サイクロトロン共鳴領域を内部にまたは境界部分に備えている成膜チャンバ内に、マイクロ波パワーを注入し、 これにより、前記成膜チャンバの中央においてかつ前記磁気ミラー内において、カーボンを含有したガスを、10-3mbar以下の圧力において解離および/またはイオン化させ、 生成した種を、加熱した前記基体上に成膜させる、 という方法において、 前記基体表面を、凹凸形状を有したものとすることを特徴とする方法。
IPC (2)：
C01B31/02 ,  C23C16/26
FI (2)：
C01B31/02 101F ,  C23C16/26
F-Term (23)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC15 ,  4G146BC18 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146DA21 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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