半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：河野登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994026966
Publication number (International publication number)：1995231083
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体デバイスにおける量子細線,量子箱構造として用いられる、面内方向における閉じ込めポテンシャルが大きくて、量子細線,量子箱効果が大きい半導体素子を提供する。【構成】 n-クラッド層33とp-クラッド層との間に、n-クラッド層33側から引張歪みシングル量子井戸層34,歪み印加層35を順に積層して、引張歪み量子井戸構造に面内歪み変化を加える構成とすることにより、ライトホールが基底状態となって、ホールの面内方向における閉じ込めポテンシャルを大きくする。また、量子井戸構造の障壁層に引張歪み障壁層を用いて、ライトホールの基底状態を実現する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に量子井戸構造を構成するために形成された量子井戸層とを備え、前記量子井戸層に面内方向に歪み変化を加えることにより量子細線または量子箱構造を形成してなる半導体素子において、前記面内方向の歪み変化を与えるために、前記量子井戸層に直接または間接に積層されており、前記半導体基板より格子定数が小さい材質から構成されている歪み印加層を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 29/66 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-100371
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-094137 Applicant：三洋電機株式会社
引張り歪を有する青緑色II〜VI量子ウェルレーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-018092 Applicant：金星エレクトロン株式会社

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