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J-GLOBAL ID：200903085804262106

オーミック電極及びその形成方法並びに発光素子

Inventor： 小沢 正文 ,  伊藤 哲 ,  成井 二三代
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993032741
Publication number (International publication number)：1994188524
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体に対する、密着性が良好で接触比抵抗が低いオーミック電極を実現する。【構成】 p型ZnTe層2上にPd膜3を最下層とする金属多層膜から成るオーミック電極を真空蒸着法などにより形成する。オーミック電極形成後に必要に応じて100〜300°Cの温度でアニールを行う。このようにして形成されるオーミック電極をII-VI族化合物半導体を用いる半導体レーザーや発光ダイオードのp側のオーミック電極として用いる。

Claim (excerpt)：

p型のII-VI族化合物半導体に対するオーミック電極において、上記p型のII-VI族化合物半導体に接した最下層の部分がPdまたはPd合金から成ることを特徴とするオーミック電極。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229356   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-063479
  

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229356   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-063479