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J-GLOBAL ID：200903085810545454

光電変換素子

Inventor：
諸岡 正浩

About 諸岡 正浩


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003006914
Publication number (International publication number)：2004220920
Application date： Jan. 15, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：
【課題】逆電子移動反応が起こらず、耐久性が高く、光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。【解決手段】一対の透明導電性基板の間に半導体微粒子からなる半導体電極および電解質層を有する光電変換素子において、受光面側から透明基板1、導電性配線層2aおよび金属酸化物層2bが順に積層されてなるシート抵抗10Ω/□以下の透明導電性基板を受光面側に用いる。金属酸化物層2bとしては、In-Sn複合酸化物、SnO2 、TiO2 、ZnO等を用いる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
受光面側から透明基板、導電性配線層および保護層が順に積層されてなるシート抵抗10Ω/□以下の透明導電性基板を用いた ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (17)：
5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA30 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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