プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996153020
Publication number (International publication number)：1997321029
Application date： May. 24, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチング等に用いられる誘導型プラズマ発生装置のプラズマ密度を均一化する。【解決手段】プラズマ発生装置はエッチング用のガスを導入可能な真空チャンバ1を備えている。真空チャンバ1の下部にステージ2が配置しており、エッチング処理の対象となる基板3を載置可能である。真空チャンバ1の天井部1aには誘電体板4が装着されており、所定の空間を介してステージ2に対向配置している。誘電体板4の外表面に沿ってコイル5が形成されている。このコイル5は渦巻き状の導電体パタン6a,6bからなる。コイル5の中心側端子と周辺側端子との間に高周波電源7が接続しており、高周波電力を供給して真空チャンバ1内のガスをプラズマ化し、基板3をドライエッチングする。コイル5は周辺部に位置する外側導電体パタン6bに比較して中心部に位置する内側導電体パタン6aの面積が拡大化されている。かかる構成により、プラズマ密度を中心部と周辺部とで均一化することができる。

Claim (excerpt)：

所望のガスを導入可能な真空チャンバと、該真空チャンバの下部に配置され処理対象となる基板を載置可能なステージと、該真空チャンバの天井部に装着され所定の空間を介して該ステージに対向配置した誘電体板と、該誘電体板の外表面に沿って形成された渦巻き状の導電体パタンからなるコイルと、該コイルの中心側端子と周辺側端子との間に高周波電力を供給して真空チャンバ内のガスをプラズマ化する高周波電源とを備えたプラズマ発生装置において、前記コイルは、周辺部に位置する導電体パタンに比較して中心部に位置する導電体パタンの面積が拡大化されている事を特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-003366 Applicant：松下電器産業株式会社

Return to Previous Page