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J-GLOBAL ID：200903085865479337

プラズマ処理装置

Inventor：
山澤 陽平

About 山澤 陽平


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007296406
Publication number (International publication number)：2009123929
Application date： Nov. 15, 2007
Publication date： Jun. 04, 2009
Summary：
【課題】容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。【解決手段】サセプタ12の主面つまり上面は絶縁板36で覆われ、この絶縁板36の下(裏側)に絶縁壁38で画成された気密な空洞40を有する空洞プラズマ形成部42が設けられる。空洞40の中には不活性ガスが封入されており、高周波電源45からの高周波がヘリカルアンテナ44に印加されると、空洞40内で不活性ガスが放電してプラズマが生成される。空洞40内のプラズマを誘電体として作用させることにより、処理空間PSにおけるプラズマ密度の分布特性を簡単かつ自在に制御できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
真空排気可能な処理容器と、 前記処理容器内で被処理基板を載置する第1電極と、 前記処理容器内で前記第1電極と平行に向かい合う第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、 前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方に、前記処理ガスのプラズマの生成に寄与する第1の高周波を印加する第1高周波給電部と、 前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方に設けられた空洞を有し、前記空洞内でガスを放電させてプラズマを形成する空洞プラズマ形成部と を有するプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/509
FI (4)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/31 A ,  H05H1/46 M ,  C23C16/509
F-Term (20)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F045AA20 ,  5F045BB02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045EM02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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