半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035695
Publication number (International publication number)：1994252148
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、アルミニウムなどの酸化されやすい配線においても、接続抵抗が小さく、信頼性の高い接続を達成することのできる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明では、実装用の配線基板12上に、高さH<SB>A </SB>硬度Aのバンプ14を有する半導体素子11を粒径Φ<SB>B </SB>(H<SB>A </SB>≦Φ<SB>B </SB>)、硬度B(A<B)の微小導電粒子15を介して接続したことを特徴とする。本発明の方法では、実装用の配線基板上の接続領域に、粒径Φ<SB>B</SB>(H<SB>A </SB>≦Φ<SB>B </SB>)、硬度B(A<B)の微小導電粒子で覆われた、高さH<SB>A </SB>硬度Aのバンプが当接するようにして半導体素子チップを加熱加圧するようにし、半導体素子を配線基板上に微小導電粒子を介して接続する工程とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

実装用の配線基板上に、高さH<SB>A </SB>硬度Aのバンプを有する半導体素子を粒径Φ<SB>B </SB>(H<SB>A </SB>≦Φ<SB>B </SB>)、硬度B(A<B)の微小導電粒子を介して接続せしめられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/52 , H01L 21/60 311

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-323841
特開平2-009465
特開平1-227444

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