Pat
J-GLOBAL ID：200903085896785550

反射型表示装置の画素電極作製方法

Inventor：
安達 広樹

About 安達 広樹


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310032
Publication number (International publication number)：1998144927
Application date： Nov. 06, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 反射型の液晶表示装置の画素電極の形成方法を簡略化する。【解決手段】 反射型の液晶表示装置の画素電極120をスパッタリングでもって形成されるアルミニウム膜でもって構成する。このアルミニウム膜の成膜の際、雰囲気中に意図的に水分を含有させ、さらに試料を加熱する。すると、アルミニウム粒の成長が起こり、その表面にμmオーダーの凹凸を有するものとなる。このアルミニウム膜は入射光を乱反射させ、見た目で白濁したものとなる。そして、反射型の液晶表示装置の画素電極に最適なものとなる。
Claim (excerpt)：
入射光を反射させる形式を有する表示装置の画素電極の作製方法であって、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜の成膜時に当該膜の表面に粒を形成し入射光が乱反射する表面を形成することを特徴とする反射型表示装置の画素電極作製方法
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35
FI (3)：
H01L 29/78 612 Z ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭61-107219
  • 特開平2-112112
  • 特開平2-163363
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM