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J-GLOBAL ID：200903085913740239

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

Inventor：
小太刀 明子

About 小太刀 明子

, 
武智 敏

About 武智 敏


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995197475
Publication number (International publication number)：1997043848
Application date： Aug. 02, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：
【要約】【課題】 特に短波長露光光源を用いて、大気成分の環境制御や時間管理等に煩わされることなく微細パターンを形成することができる、化学増幅型レジストに代わる新しいレジスト材料を提供し、併せてこの新しいレジスト材料を使ってレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明のレジスト材料は、トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素置換基とを有するアクリレート系の繰り返し単位を含む樹脂を含む。
Claim (excerpt)：
トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素置換基とを有するアクリレート系の繰り返し単位を含む樹脂を含むレジスト材料。
IPC (4)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/008 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (6)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/008 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 569 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
  • 特開平2-045509
  • 特開昭64-043512
  • 特開昭62-150345
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